جميع المنتجات
IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II رينيساس إلكترونيكس أمريكا
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |
CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP سايبرس سيمكوندكتور كورب
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA تقنية مايكرون Inc.
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - LPDDR المحمول |
AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II التحالف الذاكرة، Inc.
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |
S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC تقنيات Infineon
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA تكنولوجيا الرقاقة الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP رينيساس إلكترونيكس أمريكا إنك
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - منفذ مزدوج، متزامن |
IS42S32200L-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM |