جميع المنتجات
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP سايبرس سيمكوندكتور كورب
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فرام |
| التكنولوجيا: | FRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الكهربائية) |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA شركة تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ناند |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA تقنية مايكرون Inc.
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP أجهزة مماثلة Inc./Maxim Integrated
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | NVSRAM |
| التكنولوجيا: | NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة) |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA شركة تكنولوجيا مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ تقنيات Infineon
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP رينيساس تصميم ألمانيا GmbH
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |