جميع المنتجات
S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON تقنيات Infineon
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Germany GmbH
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA تكنولوجيا مايكرون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، DDR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA تقنيات إنفينيون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP تكنولوجيات إنفينيون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | NVSRAM |
| التكنولوجيا: | NVSRAM (ذاكرة SRAM غير المتطايرة) |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP تكنولوجيا الرقاقة المجهرية
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم - مكتب المدعي العام |
BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ أشباه الموصلات Rohm
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ رينيساس إلكترونيكس أمريكا Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |