جميع المنتجات
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| اسم العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IS43R16160F-6TLI |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM - DDR | حجم الذاكرة | 256 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 16 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 166 ميغا هيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 15ns |
| وقت الوصول | 700 ملاحظة | الجهد - الإمدادات | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 66-TSSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) | حزمة أجهزة المورد | 66-TSOP II |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43R16160F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320F-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400F-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-6TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-6TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-5TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-6TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800E-5TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160F-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160F-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16160D-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16320D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R86400D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R86400D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320E-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS46R16320D-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800A-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200B-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R83200B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16800C-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R16160B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
| IS43R86400E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الخصائص
● الجهد القياسي: VDD و VDDQ = 1.5V ± 0.075V● الجهد المنخفض (L): VDD و VDDQ = 1.35V + 0.1V ، -0.067V
- متوافق مع 1.5 فولت
● سرعات نقل البيانات عالية مع نظام
تردد يصل إلى 933 ميغاهرتز
● 8 بنوك داخلية للعمل بالتزامن
● بنية 8n-بيت قبل البحث
● تأخير CAS القابل للبرمجة
● تأخير إضافي قابل للبرمجة: 0، CL-1، CL-2
● فترة تأخير CAS WRITE القابلة للبرمجة (CWL) بناءً على tCK
● الطول القابل للبرمجة: 4 و 8
● تسلسل انفجار قابل للبرمجة: تسلسلي أو متداخل
● التبديل في الطيران
● التجديد الذاتي الآلي ((ASR))
● درجة حرارة التجديد الذاتي (SRT)
● فترة التجديد:
7.8 us (8192 دورة/ 64 ms) Tc= -40°C إلى 85°C
3.9 us (8192 دورة / 32 ms) Tc= 85 °C إلى 105 °C
● المجموعة الجزئية
● دبوس إعادة التشغيل غير المتزامن
● تدعم TDQS (Termination Data Strobe) (x8 فقط)
● OCD (تعديل عائق السائق خارج الشريحة)
● ODT الديناميكية (إنهاء على الموت)
● قوة السائق: RZQ/7 ، RZQ/6 (RZQ = 240 )
● كتابة التسوية
● ما يصل إلى 200 ميغاهرتز في وضع إيقاف DLL
● درجة حرارة العمل:
التجارية (TC = 0 °C إلى + 95 °C)
الصناعية (TC = -40 °C إلى +95 °C)
السيارات، A1 (TC = -40°C إلى +95°C)
السيارات، A2 (TC = -40°C إلى +105°C)
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ISSI |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | العبوة البديلة للصينية |
| الحزمة | 66-TSSOP (0.400، 10.16mm العرض) |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 2.3 فولت ~ 2.7 فولت |
| حزمة الجهاز | 66-TSOP II |
| قدرة الذاكرة | 256M (16M x 16) |
| نوع الذاكرة | DDR SDRAM |
| السرعة | 166 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SDRAM - ذاكرة DDR IC 256Mb (16M x 16) متوازية 166MHz 700ps 66-TSOP II
شريحة DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
درام 256M، 2.5 فولت، DDR، 16Mx16، 166MHz
المنتجات الموصى بها
