جميع المنتجات
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II شركة مايكرون للتكنولوجيا
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP تكنولوجيا الرقاقة الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC ألكترونيات وينبوند
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP شركة مايكرون للتكنولوجيا
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STميكروإلكترونيكس
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA رينيساس إلكترونيكس أمريكا Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - منفذ مزدوج، متزامن |
SST39VF1601C-70-4I-EKE IC Flash 16MBIT PARALLEL 48TSOP تكنولوجيا الرقاقة الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |