جميع المنتجات
MX25L6406EZNI-12G IC Flash 64MBIT SPI 86MHZ 8WSON ماكرونيكس
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
GD25WD20CEIGR IC FLSH 2MBIT SPI/QUAD I/O 8USON GigaDevice Semiconductor (HK) المحدودة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | PSRAM |
| التكنولوجيا: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA تقنية مايكرون Inc.
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | ذاكرة SDRAM - DDR2 |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
MT53E768M32D4DT-053 WT:E IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - موبايل LPDDR4 |
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP رينيساس إلكترونيكس أمريكا
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - غير متزامن |
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA ذاكرة التحالف ، Inc.
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM |
MT29F128G08AKAAAC5:A IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA شركة تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ناند |
MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | PSRAM |
| التكنولوجيا: | PSRAM (Pseudo SRAM) |