جميع المنتجات
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP رينيساس إلكترونيكس أمريكا
| اسم العلامة التجارية | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | 5962-3829407MXA |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | SRAM |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SRAM - غير متزامن | حجم الذاكرة | 64 كيلو بايت |
| منظمة الذاكرة | 8 كيلو × 8 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | - | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | - | الجهد - الإمدادات | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت |
| درجة حرارة العمل | -55 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية (تا) | نوع التثبيت | من خلال الثقب |
| الحزمة / الحقيبة | 28-CDIP (0.600 بوصة ، 15.24 ملم) | حزمة أجهزة المورد | 28- اللجنة المعنية بالتنمية والملكية الفكرية |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
جهاز AT28C010 هو ذاكرة عالية الأداء قابلة للحذف الكهربائي والبرمجة للقراءة فقط. يتم تنظيم ذاكرة ميغابيت واحدة في 131,072 كلمة من 8 بت.مصنعة بتكنولوجيا CMOS غير متقلبة متقدمة من Atmel، يوفر الجهاز أوقات وصول تصل إلى 120 ns مع تبديد الطاقة قدره 440 ميجاوات فقط. عندما يتم إلغاء تحديد الجهاز ، يكون تيار الاستعداد CMOS أقل من 300 ميكروات.
الخصائص
• وقت الوصول السريع للقراءة - 120 ns• عملية كتابة الصفحة التلقائية
العناوين الداخلية و سدادات البيانات لـ 128 بايت
عداد التوقيت الداخلي للسيطرة
• وقت دورة الكتابة السريعة
وقت دورة كتابة الصفحة - 10 ميس كحد أقصى
عملية كتابة من صفحة 1 إلى 128 بايت
• استهلاك طاقة منخفضة
80 مآ تيار نشط
التيار الاحتياطي CMOS 300 μA
• حماية بيانات الأجهزة والبرمجيات
• استطلاع البيانات للكشف عن نهاية الكتابة
• تقنية CMOS عالية الموثوقية
الصمود: 104 أو 105 دورة
حفظ البيانات: 10 سنوات
• إمدادات 5 فولت واحدة ± 10٪
• مدخلات ومخرجات متوافقة مع CMOS و TTL
• JEDEC المعتمدة بايت واسعة النطاق
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | أنظمة الدوائر المتكاملة |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | 5962-38294 |
| النوع | غير متزامن |
| التعبئة | أنبوب |
| أسلوب التثبيت | من خلال الثقب |
| الحزمة | 28-CDIP (0.600، 15.24ملم) |
| درجة حرارة العمل | -55°C ~ 125°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 4.5 فولت ~ 5.5 فولت |
| حزمة الجهاز | 28-CDIP |
| قدرة الذاكرة | 64K (8K × 8) |
| نوع الذاكرة | SRAM - غير متزامن |
| السرعة | - |
| وقت الوصول | 70 ns |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
| درجة حرارة العمل القصوى | + 125 درجة |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | - 55 سي |
| نوع الواجهة | متوازية |
| التنظيم | 8k × 8 |
| الجزء # - الأسماء المستعارة | 5962-38294 5962-3829407MXA |
| فولتاج الإمداد - أقصى | 5.5 فولت |
| فولتاج التغذية - دقيقة | 4.5 فولت |
| الحزمة | CDIP-28 |
مكونات متوافقة وظيفياً
شكل، حزمة، مكون متوافق وظيفيا
| جزء المصنع# | الوصف | المصنع | مقارنة |
| AS6C6264A-70PIN الذاكرة |
SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، PDIP28 ، 0.600 INCH ، متوافقة مع ROHS ، بلاستيك ، DIP-28 | (تحالف ذاكرة) | 5962-3829407MXA مقابل AS6C6264A-70PIN |
| FT6264L-70DWMLF الذاكرة |
SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، CDIP28 ، 0.600 INCH ، متوافقة مع ROHS ، CERAMIC ، DIP-28 | شركة فورس تكنولوجيز | 5962-3829407MXA مقابل FT6264L-70DWMLF |
| V62C51864L-70P الذاكرة |
ذاكرة SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، PDIP28 ، 0.600 INCH ، PLASTIC ، DIP-28 | شركة موزل فيتليك | 5962-3829407MXA مقابل V62C51864L-70P |
| 5962-3829407MXA الذاكرة |
الـ SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، CDIP28 ، CERAMIC ، DIP-28 | منتجات موتورولا للشرائح | 5962-3829407MXA مقابل 5962-3829407MXA |
| AS6C6264A-70PCN الذاكرة |
SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، PDIP28 ، 0.600 INCH ، متوافقة مع ROHS ، بلاستيك ، DIP-28 | (تحالف ذاكرة) | 5962-3829407MXA مقابل AS6C6264A-70PCN |
| FT6264L-70DWMBLF الذاكرة |
SRAM القياسية ، 8KX8 ، 70ns ، CMOS ، CDIP28 ، 0.600 INCH ، متوافقة مع ROHS ، CERAMIC ، DIP-28 | شركة فورس تكنولوجيز | 5962-3829407MXA مقابل FT6264L-70DWMBLF |
| IMS1630LS-70M الذاكرة |
8KX8 STANDARD SRAM ، 70ns ، CDIP28 ، الجانب المكسر ، السيراميك ، DIP-28 | STMيكروإلكترونيات | 5962-3829407MXA مقابل IMS1630LS-70M |
الوصف
SRAM - ذاكرة غير متزامنة IC 64Kb (8K x 8) متوازية 28-CerDip
SRAM 64K غير متزامن 8K x 8 SRAM
المنتجات الموصى بها
