جميع المنتجات
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP رينيساس إلكترونيكس أمريكا إنك
| اسم العلامة التجارية | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IDT70T3319S133DD |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | SRAM |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SRAM - منفذ مزدوج، متزامن | حجم الذاكرة | 4.5 ميغابت |
| منظمة الذاكرة | 256 كيلو × 18 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 133 ميغا هيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | 4.2 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 2.4 فولت ~ 2.6 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 144-LQFP مكشوفة الوسادة | حزمة أجهزة المورد | 144-TQFP (20 × 20) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IDT70T3319S133DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T3319S133DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T3319S166DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T3399S133DD | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T3399S133DDI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T3399S166DD | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T631S10DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T631S12DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T631S12DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T631S15DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T633S10DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T633S12DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T633S12DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70T633S15DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7319S133DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7319S133DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7319S166DD | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7319S166DDI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7339S133DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7339S133DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7339S166DD | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP | |
| IDT70V7339S166DDI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
الـ IDT70T651/9 هي ذاكرة ذاكرة ذاكرة ثابتة ذات منفذين مزدوجين عالية السرعة 256/128K x 36 غير متزامن.تم تصميم IDT70T651/9 لاستخدامها كـ 9216/4608K-bit Dual-Port RAM مستقلة أو كمزيج من MAS TER / SLAVE Dual-Port RAM لنظام الكلمات 72-bit أو أكثراستخدام نهج ذاكرة الوصول الثنائي لـ IDT MASTER / SLAVE في تطبيقات نظام الذاكرة ذات 72 بت أو أوسع يؤدي إلى تشغيل كامل السرعة وخالي من الأخطاء دون الحاجة إلى منطق منفصل إضافي.يوفر هذا الجهاز منفذين مستقلين مع نقاط تحكم منفصلة وعنوان و I / O التي تسمح بالوصول المستقل وغير المتزامن للقراءة أو الكتابة إلى أي موقع في الذاكرة.ميزة إيقاف تشغيل تلقائي يتم التحكم بها بواسطة الشريحة تمكن (إما CE0 أو CE1) من السماح للدوائر الموجودة على الشريحة من كل منفذ للدخول إلى وضع طاقة جاهزة منخفضة جدا.
يحتوي IDT70T651/9 على وضع RapidWrite الذي يسمح للمصمم بتنفيذ عمليات الكتابة المتتالية دون نبض مدخل R / W في كل دورة.هذا مهم بشكل خاص في أوقات دورة 8 و 10ns من IDT70T651/9، مما يسهل الاعتبارات التصميمية في هذه المستويات عالية الأداء.
70T651/9 يمكن أن تدعم فولتاج تشغيل إما 3.3V أو 2.5V على أحد الموانئ أو كليهما ، يتم التحكم به بواسطة دبوس OPT. مصدر الطاقة للقلب من الجهاز (VDD) هو 2.5V.
الخصائص
◆ خلايا ذاكرة حقيقية ذات منفذين تسمح بالوصول في وقت واحد إلى نفس موقع الذاكرة◆ الوصول السريع
التجارية: 8/10/12/15ns (حد أقصى.)
الصناعية: 10/12ns (حد أقصى.)
◆ وضع RapidWrite يسهل دورات الكتابة المتتالية عالية السرعة
◆ الشريحة المزدوجة تمكن من توسيع العمق دون منطق خارجي
◆ IDT70T651/9 بسهولة توسيع عرض حافلة البيانات إلى 72 بت أو أكثر باستخدام رئيس / عبيد اختيار عند تسلسل أكثر من جهاز واحد
◆ M/S = VIH للعلم الإخراج BUSY على Master، M/S = VIL لدخول BUSY على Slave
◆ إشارات مشغولة ومتقطعة
◆ منطق التحكيم على الشريحة
◆ دعم كامل للأجهزة على الشريحة لإشارة الإشارات بين الموانئ
◆ التشغيل غير المتزامن بالكامل من أي من الموانئ
◆ أجهزة تحكم منفصلة للبايتات من أجل التوافق بين الحافلة المتعددة والحافلة المتطابقة
◆ مدخلات وضع النوم على كلا الموانئ
◆ يدعم ميزات JTAG المتوافقة مع IEEE 1149.1
◆ إمدادات طاقة 2.5 فولت واحدة (± 100mV) للقلب
◆ متوافق مع LVTTL ، قابلة للاختيار 3.3V (± 150mV) / 2.5V (± 100mV) إمدادات الطاقة لإدخالات / إخراجات وإشارات التحكم على كل منفذ
◆ متوفر في مجموعة شبكات الكرات ذات 256 كرة، و208-pin Plastic Quad Flatpack و208-ball fine pitch Ball Grid Array.
◆ نطاق درجة الحرارة الصناعية (من 40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية) متاح لسرعات محددة
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | أنظمة الدوائر المتكاملة |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | الصندوق |
| الحزمة | 144-LQFP الحافظة المعرضة |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 2.4 فولت ~ 2.6 فولت |
| حزمة الجهاز | 144-TQFP (20x20) |
| قدرة الذاكرة | 4.5M (256K x 18) |
| نوع الذاكرة | SRAM - منفذ مزدوج ، متزامن |
| السرعة | 133 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة متزامنة IC 4.5Mb (256K x 18) موازية 133MHz 4.2ns 144-TQFP (20x20)
المنتجات الموصى بها
