جميع المنتجات
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| اسم العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IS41LV16100B-50KL |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | درام - إيدو | حجم الذاكرة | 16 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 1 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | - | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | 25 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 42-BSOJ (0.400"، عرض 10.16 مم) | حزمة أجهزة المورد | 42-SOJ |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS41LV16100B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41C16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41C16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41C16105C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41C16105C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16100D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
| IS41LV16105D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
الـ "إيسيسيس41إل في 16100 بي" هي 1048ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي CMOS ذات الأداء العالي 576 × 16 بت. تقدم هذه الأجهزة وصولًا دورة متسارعة يسمى وضعية الصفحة EDO. يسمح وضعية الصفحة EDO ،024 الوصولات العشوائية داخل سطر واحد مع زمن دورة الوصول قصيرة مثل 20 ns لكل كلمة 16 بت.
الخصائص
• مدخلات ومخرجات متوافقة مع TTL؛ I/O ثلاثية الحالة• فترة التجديد:
وضع التحديث التلقائي: 1,024 دورة / 16 ms
فقط RAS ، CAS قبل RAS (CBR) ، ومخفية
• تصميم معيار JEDEC
• مصدر طاقة واحد: 3.3 فولت ± 10٪
• عملية كتابة البايت وقراءة البايت عبر CASين
• نطاق درجة الحرارة الصناعية: -40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية
• متاح خال من الرصاص
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ISSI |
| فئة المنتجات | رقائق IC |
| السلسلة | - |
| التعبئة | أنبوب |
| الحزمة | 42-BSOJ (0.400" 10.16mm) |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| حزمة الجهاز | 42-SOJ |
| قدرة الذاكرة | 16M (1M x 16) |
| نوع الذاكرة | الـ DRAM - EDO |
| السرعة | 50s |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
ذاكرة DRAM - EDO IC 16Mb (1M x 16) متوازية 25ns 42-SOJ
المنتجات الموصى بها
