جميع المنتجات
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA شركة تقنية الميكرون
| اسم العلامة التجارية | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | MT46H16M32LFCM-6 تي آر |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM - LPDDR المحمول | حجم الذاكرة | 512 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 16 م × 32 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 166 ميغا هيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 15ns |
| وقت الوصول | 5 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 90-VFBGA | حزمة أجهزة المورد | 90-VFBGA (10x13) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الـ DDR SDRAM ذات الطاقة المنخفضة
الخصائص
• VDD/VDDQ = 1.70 -1.95 فولت• ضوء بيانات ثنائي الاتجاه لكل بايت من البيانات (DQS)
• هيكل داخلي، معدل البيانات المزدوج (DDR) ؛ وصولين للبيانات لكل دورة ساعة
• مدخلات الساعة التفاضلية (CK و CK#)
• الأوامر المدخلة على كل حافة إيجابية CK
• DQS محاذاة على الحافة مع البيانات للقراءة ؛ مركز محاذاة مع البيانات للكتابة
• 4 بنوك داخلية للعمل بالتزامن
• أقنعة البيانات (DM) لإخفاء بيانات الكتابة ؛ قناع واحد لكل بايت
• أطوال انفجار قابلة للبرمجة (BL): 2، 4، 8 أو 16
• يتم دعم خيار الشحن المسبق التلقائي في وقت واحد
• أوضاع التحديث التلقائي والتحديث الذاتي
• مدخلات متوافقة مع LVCMOS 1.8 فولت
• التعويض عن درجة الحرارة (TCSR)
• التجديد الذاتي للمصفوفة الجزئية (PASR)
• انقطاع الكهرباء العميق (DPD)
• سجل قراءة الحالة (SRR)
• قوة محرك الخروج القابلة للاختيار (DS)
• القدرة على وقف الساعة
• 64ms لتحديث، 32ms لدرجة حرارة السيارة
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | |
| الحزمة | 90-VFBGA |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| حزمة الجهاز | 90-VFBGA (10x13) |
| قدرة الذاكرة | 512M (16M x 32) |
| نوع الذاكرة | الـ LPDDR SDRAM المتنقل |
| السرعة | 166 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SDRAM - ذاكرة LPDDR المحمولة IC 512Mb (16M x 32) متوازية 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
المنتجات الموصى بها
