جميع المنتجات
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II ذاكرة التحالف ، Inc.
| اسم العلامة التجارية | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | AS4C2M32SA-6TCN |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM | حجم الذاكرة | 64 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 2 م × 32 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 166 ميغا هيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 2ns |
| وقت الوصول | 5.5 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 86-TFSOP (0.400 بوصة ، عرض 10.16 ملم) | حزمة أجهزة المورد | 86-TSOP II |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C2M32SA-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TIN | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TIN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A IT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف الوظيفي
AS4C256K16E0 هو ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية CMOS ذات أداء عالي 4 ميغابيت (DRAM) منظمة كـ 262،144 كلمة بمقدار 16 بت.تم تصنيع AS4C256K16E0 مع تكنولوجيا CMOS المتقدمة ومصممة مع تقنيات التصميم المبتكرة مما أدى إلى سرعة عالية، طاقة منخفضة للغاية وفوائض تشغيل واسعة على مستوى المكونات والأنظمة.
الخصائص
• التنظيم: 262,144 كلمة × 16 بت• السرعة العالية
- 30/35/50 ns وقت الوصول إلى RAS
- 16/18/25 ns وقت الوصول إلى عنوان العمود
- 7/10/10/10 ns وقت وصول CAS
• استهلاك طاقة منخفض
- نشط: 500 ميجاوات (AS4C256K16E0-25)
- الاستعداد: 3.6 ميجاوات ماكس، CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• وضع الصفحة EDO
• إعادة التجديد
- 512 دورة تحديث، فترة تحديث 8 ميس
- تحديث RAS فقط أو CAS قبل RAS أو تحديث الذاتي
خيار التجديد الذاتي متاح فقط للأجهزة من الجيل الجديد
• القراءة-التعديل-الكتابة
• متوافق مع TTL ، إدخال / إخراج ثلاثي الحالة
• حزم قياسية JEDEC
- 400 مل، 40 دبوس SOJ
- 400 مل، 40/44-البين TSOP الثاني
• إمدادات الطاقة 5 فولت
• تيار القفل > 200 mA
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | (أليانس ميموري) |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | الصندوق |
| الحزمة | 86-TFSOP (0.400" ، 10.16mm العرض) |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| حزمة الجهاز | 86-TSOP II |
| قدرة الذاكرة | 64M (2M x 32) |
| نوع الذاكرة | SDRAM |
| السرعة | 166 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
ذاكرة SDRAM IC 64Mb (2M x 32) موازية 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
الـ DRAM SDRAM، 64M،3.3 فولت 166 ميغا هرتز, 2 م × 32
المنتجات الموصى بها
