جميع المنتجات
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA شركة مايكرون للتكنولوجيا
| اسم العلامة التجارية | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | MT40A1G4RH-083E: ب |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | ذاكرة SDRAM - DDR4 | حجم الذاكرة | 4 بت |
| منظمة الذاكرة | 1 جرام × 4 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 1.2 جيجاهيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | - | الجهد - الإمدادات | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 78-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 78-إف بي جي إيه (9 × 10.5) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
هذه مكابح الجهد العابر 1500 واط توفر قدرات معالجة الطاقة التي توجد فقط في حزم أكبر.يتم استخدامها في معظم الأحيان للحماية من العابرات من بيئات التبديل الاستقراضي أو تأثيرات البرق الثانوية المستحثة كما هو موجود في مستويات الزيادة المنخفضة من IEC61000-4-5مع أوقات استجابة سريعة جدا، فهي فعالة أيضا في الحماية من ESD أو EFT.تتضمن ميزات حزمة Powermite® قاعًا معدنيًا كاملًا يزيل إمكانية احتجاز تدفق اللحام أثناء التجميعكما أنها توفر علامة قفل فريدة تعمل كغسالة حرارة متكاملةيتم تقليل الحثية الطفيلية لتقليل تجاوزات الجهد خلال انتقالات وقت الارتفاع السريع.
الخصائص
• حزمة التثبيت السطحي المنخفضة جداً (1.1ملم)• علامات التبويب المتكاملة لفناء الحرارة
• متوافق مع معدات الإدراج التلقائي
• القاع المعدني بالكامل يزيل حبس التدفق
• نطاق الجهد من 5 فولت إلى 170 فولت
• متوفرة في كل من الاتجاه الواحد أو الاتجاهين (اللاحقة C للاتجاهين)
الدرجات القصوى
• درجة حرارة التشغيل: -55°C إلى +150°C• درجة حرارة التخزين: -55°C إلى +150°C
• طاقة النبض القصوى 1500 واط (10 / 1000 ميكرو ثانية)
• تيار الزخم الأمامي: 200 آمبر عند 8.3 ميس (باستثناء ثنائي الاتجاه)
• معدل زيادة التكرار (عامل الضرائب): 0.01%
• المقاومة الحرارية: 2.5 درجة مئوية / واط التقاطع إلى علامة التبويب 130 درجة مئوية / واط التقاطع إلى البيئة مع البصمة الموصى بها
• درجة حرارة الرصاص والتركيب: 260 درجة مئوية لمدة 10 ثواني
الطلبات / الفوائد
• الحماية الثانوية من البرق• الحماية العابرة للتبديل
• بصمة صغيرة
• الحثية الطفيلية المنخفضة جداً للحد الأدنى من تجاوز التوتر
• متوافق مع IEC61000-4-2 و IEC61000-4-4 للحماية من ESD و EFT على التوالي و IEC61000-4-5 لمستويات الزيادة العالية المحددة هنا
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | الصندوق |
| الحزمة | 78-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 95°C (TC) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت |
| حزمة الجهاز | 78-FBGA (9x10.5) |
| قدرة الذاكرة | 4G (1G × 4) |
| نوع الذاكرة | ذاكرة DDR4 SDRAM |
| السرعة | 18s |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SDRAM - ذاكرة DDR4 IC 4Gb (1G x 4) متوازية 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
شريحة DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78-Pin FBGA
المنتجات الموصى بها
