جميع المنتجات
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA شركة مايكرون تكنولوجيا
| اسم العلامة التجارية | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | MT47H128M4CF-25E: جي |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | ذاكرة SDRAM - DDR2 | حجم الذاكرة | 512 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 128 م × 4 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 400 ميغاهرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 15ns |
| وقت الوصول | 400 ملاحظة | الجهد - الإمدادات | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (ح) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 60-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 60-إف بي جي إيه (8 × 10) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M4CF-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 L:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8JN-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R128M8CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R128M8CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M4CF-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H256M4CF-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT47R256M4CF-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47R256M4CF-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-25E AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8CF-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8JN-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8JN-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AIT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8CF-3 AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-25E AAT:M | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AIT:H | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-187E:M TR | IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AAT:H | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H128M8SH-25E AAT:M TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AIT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT47H64M8SH-25E AAT:H TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
ذاكرة الوصول المتعددة
MT47H256M4 32 ميج x 4 x 8 بنوكMT47H128M8 16 ميج x 8 x 8 بنك
MT47H64M16 8 ميج x 16 x 8 بنك
الخصائص
• VDD = 1.8V ± 0.1V ، VDDQ = 1.8V ± 0.1V• معيار JEDEC 1.8V I/O (متوافق مع SSTL_18)
• خيار ضوئي بيانات متباينة (DQS، DQS#)
• بنية 4n-bit prefetch
• خيار ثنائي الإخراج (RDQS) لـ x8
• DLL لمواءمة انتقالات DQ و DQS مع CK
• 8 بنوك داخلية للعمل بالتزامن
• فترة تأخير CAS قابلة للبرمجة (CL)
• تأخر إضافة CAS (AL)
• تأخير الكتابة = تأخير القراءة - 1 tCK
• أطوال انفجار قابلة للاختيار (BL): 4 أو 8
• قوة محرك البيانات المعدلة
• 64ms، 8192 دورة تحديث
• الإنهاء عند الموت (ODT)
• خيار درجة الحرارة الصناعية
• خيار درجة حرارة السيارة (AT)
• متوافقة مع RoHS
• يدعم مواصفات JEDEC clock jitter
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | الصندوق |
| الحزمة | 60-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 85°C (TC) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.7 فولت ~ 1.9 فولت |
| حزمة الجهاز | 60-FBGA (8x10) |
| قدرة الذاكرة | 512M (128Mx4) |
| نوع الذاكرة | ذاكرة الوصول المتعددة |
| السرعة | 2.5ns |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SDRAM - ذاكرة DDR2 IC 512Mb (128M x 4) متوازية 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
شريحة DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60-Pin FBGA
المنتجات الموصى بها
