جميع المنتجات
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA شركة مايكرون للتكنولوجيا
| اسم العلامة التجارية | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | MT29C1G12MAACAEAMD-6 تكنولوجيا المعلومات |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | غير متقلبة، متقلبة | تنسيق الذاكرة | فلاش ، ذاكرة الوصول العشوائي |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول | حجم الذاكرة | 1 جيجابت (ناند)، 512 ميجابت (LPDRAM) |
| منظمة الذاكرة | 128 م × 8 (ناند)، 16 م × 32 (LPDRAM) | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 166 ميغا هيرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | - | الجهد - الإمدادات | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 130-ففبجا | حزمة أجهزة المورد | 130-VFBGA (8x9) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR | IC FLSH NAND LPDDR 1.5G 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G56MAACAUAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAJYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29F1G16ABBEAMD-IT:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA | |
| MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT | IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | |
| MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT | IC FLASH NAND LPDDR 1.5G 130MCP |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف العام
تتضمن أجهزة فلاش Micron NAND واجهة بيانات غير متزامنة لعمليات الإدخال والخروج عالية الأداء. تستخدم هذه الأجهزة حافلة 8-بيت متعددة التعددية (I / Ox) لنقل الأوامر والعناوين والبيانات.هناك خمسة إشارات التحكم المستخدمة لتنفيذ واجهة البيانات غير المزامنة: CE#، CLE، ALE، WE#، و RE#. إضافية إشارات التحكم في الأجهزة حماية الكتابة ومراقبة حالة الجهاز (R / B #).تخلق هذه الواجهة الأجهزة جهازًا منخفضًا عدد البينات مع تصميم قياسي يبقى هو نفسه من كثافة إلى أخرى ، مما يتيح التحديثات المستقبلية إلى روابط أعلى كثافة دون إعادة تصميم اللوحة.
الهدف هو وحدة الذاكرة التي يتم الوصول إليها بواسطة إشارة تشغيل الشريحة. يحتوي الهدف على شريحة NAND Flash واحدة أو أكثر.NAND Flash die هي الوحدة الأدنى التي يمكن أن تنفذ بشكل مستقل الأوامر وتبلغ عن الحالة. يتم الإشارة إلى NAND Flash die ، في مواصفات ONFI ، باسم الوحدة المنطقية (LUN). هناك على الأقل NAND Flash die واحد لكل إشارة تشغيل رقاقة. لمزيد من التفاصيل ، يمكنك الاطلاع على الملفات التالية:انظر منظمة الجهاز والمصفوفة.
هذا الجهاز يحتوي على جهاز ECC داخلي 4 بت يمكن تمكينها باستخدام ميزات GET/SET.
انظر الخريطة الداخلية للمركز المركزي المركزي والمساحات الاحتياطية للمركز المركزي المركزي لمزيد من المعلومات.
الخصائص
• واجهة فلاش NAND مفتوحة (ONFI) متوافقة مع 1.0• تكنولوجيا الخلايا ذات المستوى الواحد (SLC)
• التنظيم
حجم الصفحة x8: 2112 بايت (2048 + 64 بايت)
حجم الصفحة x16: 1056 كلمة (1024 + 32 كلمة)
حجم الكتلة: 64 صفحة (128K + 4K بايت)
حجم الطائرة: طائرتين × 2048 كتلة لكل طائرة
حجم الجهاز: 4 جيجابايت: 4096 كتلة؛ 8 جيجابايت: 8192 كتلة 16 جيجابايت: 16384 كتلة
• أداء الإدخال والخروج غير المتزامن
tRC/tWC: 20ns (3.3V) ، 25ns (1.8V)
• أداء المصفوفة
قراءة الصفحة: 25μs 3
صفحة البرنامج: 200μs (نوع: 1.8V، 3.3V)
حجب الحذف: 700μs (TYP)
• مجموعة الأوامر: بروتوكول ONFI NAND Flash
• مجموعة تعليمات متقدمة
وضع ذاكرة التخزين المؤقت لصفحة البرنامج4
قراءة صفحة الذاكرة المؤقتة 4
وضع برمجية لمرة واحدة (OTP)
أوامر طائرتين 4
العمليات المتداخلة (LUN)
قراءة هوية فريدة
قفل الكتلة (1.8 فولت فقط)
نقل بيانات داخلية
• حالة العملية بايت يوفر طريقة البرمجيات للكشف عن
إكمال العملية
حالة التأهل/الفشل
حالة الحماية من الكتابة
• إشارة Ready/Busy# (R/B#) توفر طريقة أجهزة للكشف عن اكتمال العملية
• إشارة WP#: كتابة حماية الجهاز بأكمله
• أول كتلة (عنوان كتلة 00h) صالحة عند الشحن من المصنع مع ECC. للحصول على الحد الأدنى المطلوب ECC، انظر إدارة الأخطاء.
• يتطلب الكتلة 0 ECC 1 بت إذا كانت دورات برنامج / مسح أقل من 1000
• إعادة التثبيت (FFh) مطلوبة كأول أمر بعد تشغيل
• طريقة بديلة لبدء الجهاز (Nand_In it) بعد تشغيل (مصنع الاتصال)
• عمليات نقل البيانات الداخلية مدعومة داخل الطائرة التي يتم قراءة البيانات منها
• الجودة والموثوقية
حفظ البيانات: 10 سنوات
- الصمود: 100000 دورة برنامج / مسح
• نطاق الجهد التشغيلي
ويكس: 2.7 و3.6 فولت
ويكس: 1.7 ويكس 1.95 فولت
• درجة حرارة العمل:
التجارية: 0°C إلى +70°C
الصناعية (IT): 40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية
• حزمة
️ التطبيقات التشغيلية ذات 48 دبوس، من النوع 1، CPL2
VFBGA بـ 63 كرة
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | الحمولة |
| الحزمة | 130-VFBGA |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| حزمة الجهاز | 130-VFBGA (8x9) |
| قدرة الذاكرة | 1G (128M x 8) ((NAND) ، 512M (16M x 32) ((LPDRAM) |
| نوع الذاكرة | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
| السرعة | 166 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | رقاقة متعددة (FLASH/RAM) |
الوصف
فلاش - NAND ، ذاكرة LPDRAM المحمولة IC 1Gb (128M x 8) ((NAND) ، 512Mb (16M x 32) ((LPDRAM) موازية 166MHz 130-VFBGA (8x9)
MCP 128Mx8 فلاش + 16Mx32 LPSDRAM 1.8V 130-Pin VFBGA
المنتجات الموصى بها
