MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA تقنية مايكرون

اسم العلامة التجارية Micron Technology Inc.
رقم الموديل MT49H16M18SJ-25:B تر
الحد الأدنى لكمية 1
الأسعار Based on current price
تفاصيل التغليف كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى
وقت التسليم 3-5 أيام عمل
شروط الدفع T/T
القدرة على العرض في المخزون

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
نوع الذاكرة متقلب تنسيق الذاكرة درهم
التكنولوجيا درهم حجم الذاكرة 288 ميغابت
منظمة الذاكرة 16 م × 18 واجهة الذاكرة موازي
تردد الساعة 400 ميغاهرتز اكتب Cycle Time - Word ، Page -
وقت الوصول 20 نانوثانية الجهد - الإمدادات 1.7 فولت ~ 1.9 فولت
درجة حرارة العمل 0 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) نوع التثبيت جبل السطح
الحزمة / الحقيبة 144-TFBGA حزمة أجهزة المورد 144-إف بي جي إيه (18.5 × 11)
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
Part Number Description
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18 IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-5 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-25 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M9FM-25 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M16FM-5 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36BM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M9FM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M18SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M18CSJ-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M18CSJ-25E IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36SJ-5:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-TI:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-TI:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25E:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M9SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H64M9SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25E:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25 IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18CSJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M9SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18SJ-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H64M9SJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-18:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-18:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18CSJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
اترك رسالة
Part Number Description
منتوج وصف

تفاصيل المنتج

وصف عام

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signalلا تتطلب RLDRAM تعدد عناوين الصف / العمود ويتم تحسينها للوصول العشوائي السريع وسرعة النطاق الترددي العالية.
تم تصميم RLDRAM لتخزين بيانات الاتصالات مثل تخزينات التخزين المؤقت في أنظمة الاتصالات وكذلك تطبيقات تخزين البيانات أو التعليمات التي تتطلب كميات كبيرة من الذاكرة.

الخصائص

• 2.5 فولت VEXT، 1.8 فولت VDD، 1.8 فولت VDDQ I/O
• العناوين البنكية الدورية للحصول على أقصى عرض النطاق الترددي للبيانات
• العناوين غير المتعددة
• انفجار متسلسل غير قابل للانقطاع من اثنين (2 بت)
prefetch) وأربعة (4 بت prefetch) DDR
• هدف سرعة البيانات 600 Mb/s/p
• تأخير القراءة القابل للبرمجة (RL) من 5-8
• إشارة صحية للبيانات (DVLD) يتم تنشيطها عند توفر بيانات القراءة
• إشارات قناع البيانات (DM0/DM1) لتغطية أولاً و
الجزء الثاني من تفجير البيانات
• مسح حدود JTAG متوافق مع IEEE 1149.1
• إمدادات الإدخال والخروج الزائفة HSTL 1.8V
• شحن آلي داخلي
• متطلبات التحديث: 32ms عند 100 °C
درجة الحرارة (8K تحديث لكل بنك، 64K تحديث
يجب إصدار الأمر كل 32 ثانية)

المواصفات

الصفة قيمة الصفة
المصنع شركة (مايكرون) للتكنولوجيا
فئة المنتجات وحدة التحكم بالذاكرة
السلسلة -
التعبئة التعبئة البديلة للشريط والفكرة (TR)
الحزمة 144-TFBGA
درجة حرارة العمل 0°C ~ 95°C (TC)
واجهة متوازية
إمدادات الجهد 1.7 فولت ~ 1.9 فولت
حزمة الجهاز 144-μBGA (18.5x11)
قدرة الذاكرة 288M (16M x 18)
نوع الذاكرة RLDRAM 2
السرعة 2.5ns
شكل الذاكرة ذاكرة الوصول

الوصف

ذاكرة DRAM IC 288Mb (16M x 18) متوازية 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)