جميع المنتجات
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP رينيساس إلكترونيات أمريكا Inc
| اسم العلامة التجارية | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | 70V657S10DRG |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | SRAM |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SRAM - منفذ مزدوج، غير متزامن | حجم الذاكرة | 1.125 ميغابت |
| منظمة الذاكرة | 32 ك × 36 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | - | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 10ns |
| وقت الوصول | 10 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 3.15 فولت ~ 3.45 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 208-BFQFP | حزمة أجهزة المورد | 208-PQFP (28 × 28) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T651S10DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S15DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S4DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S6DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3579S4DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S133DRI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S15DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S15DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V7599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DRG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
الـ IDT70V659/58/57 هي ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرة ذاكرةتم تصميم IDT70V659/58/57 لاستخدامها كـ 4/2/1Mbit Dual-Port RAM مستقلة أو كمزيج MASTER / SLAVE Dual-Port RAM لنظام الكلمات 72 بت أو أكثراستخدام نهج ذاكرة الوصول الذكية مزدوجة الموانئ IDT MASTERSLAVE في تطبيقات نظام الذاكرة ذات 72 بت أو أوسع يؤدي إلى تشغيل عالي السرعة وخالي من الأخطاء دون الحاجة إلى منطق منفصل إضافي.
الخصائص
◆ خلايا ذاكرة حقيقية ذات منفذين تسمح بالوصول في وقت واحد إلى نفس موقع الذاكرة◆ الوصول السريع
التجارية: 10/12/15ns (حد أقصى.)
الصناعية: 12/15ns (حد أقصى.)
◆ الشريحة المزدوجة تمكن من توسيع العمق دون منطق خارجي
◆ IDT70V659/58/57 بسهولة توسيع عرض حافلة البيانات إلى 72 بت أو أكثر باستخدام رئيس / عبيد اختيار عند تسلسل أكثر من جهاز واحد
◆ M/S = VIH للعلم الإخراج BUSY على Master، M/S = VIL لدخول BUSY على Slave
◆ إشارات مشغولة ومتقطعة
◆ منطق التحكيم على الشريحة
◆ دعم كامل للأجهزة على الشريحة لإشارة الإشارات بين الموانئ
◆ التشغيل غير المتزامن بالكامل من أي من الموانئ
◆ أجهزة تحكم منفصلة للبايتات من أجل التوافق بين الحافلة المتعددة والحافلة المتطابقة
◆ يدعم ميزات JTAG المتوافقة مع IEEE 1149.1
◆ متوافق مع LVTTL ، إمدادات طاقة واحدة 3.3V (± 150mV) للقلب
◆ متوافق مع LVTTL ، قابلة للاختيار 3.3V (± 150mV) / 2.5V (± 100mV) إمدادات الطاقة لإدخالات / إخراجات وإشارات التحكم على كل منفذ
◆ متوفرة في حزمة بلاستيكية رباعية مسطحة بـ208 دبوساً، ومجموعة شبكة كرات بـ208 كرة، ومجموعة شبكة كرات بـ256 كرة
◆ نطاق درجة الحرارة الصناعية (من 40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية) متاح لسرعات محددة
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | أنظمة الدوائر المتكاملة |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | 70V657 |
| النوع | غير متزامن |
| التعبئة | الصندوق |
| أسلوب التثبيت | SMD/SMT |
| الحزمة | 208-BFQFP |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 3.15 فولت ~ 3.45 فولت |
| حزمة الجهاز | 208-PQFP (28x28) |
| قدرة الذاكرة | 1.125M (32K x 36) |
| نوع الذاكرة | SRAM - منفذ مزدوج ، غير متزامن |
| السرعة | 10s |
| وقت الوصول | 10 ns |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
| درجة حرارة العمل القصوى | + 70 درجة مئوية |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0 سي |
| نوع الواجهة | متوازية |
| التنظيم | 32 كيلو × 36 |
| الحد الأقصى لتواريد الإمداد | 500 mA |
| الجزء # - الأسماء المستعارة | 70V657 IDT70V657S10DRG |
| فولتاج الإمداد - أقصى | 3.45 فولت |
| فولتاج التغذية - دقيقة | 3.15 فولت |
| الحزمة | PQFP-208 |
| جزء المصنع# | الوصف | المصنع | مقارنة |
| IDT70V657S10BFG الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PBGA208 ، 15 X 15 MM ، 1.40 MM HEIGHT ، 0.80 MM PITCH ، GREEN ، FPBGA-208 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل IDT70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG الذاكرة |
CABGA-208، الصندوق | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل 70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG8 الذاكرة |
CABGA-208، ريل | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل 70V657S10BFG8 |
| IDT70V657S10BFG8 الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PBGA208 ، 15 X 15 MM ، 1.40 MM HEIGHT ، 0.80 MM PITCH ، FPBGA-208 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل IDT70V657S10BFG8 |
| 70V657S10BC الذاكرة |
CABGA-256، الصندوق | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل 70V657S10BC |
| IDT70V657S10DRG الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PQFP208 ، 28 X 28 MM ، 3.50 MM HEIGHT ، GREEN ، PLASTIC ، QFP-208 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل IDT70V657S10DRG |
| IDT70V657S10BCG الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PBGA256 ، 17 X 17 MM ، 1.40 MM HEIGHT ، 1 MM PITCH ، GREEN ، BGA-256 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل IDT70V657S10BCG |
| 70V657S10BCG الذاكرة |
CABGA-256، الصندوق | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل 70V657S10BCG |
| IDT70V657S10BC الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PBGA256 ، 17 X 17 MM ، 1.40 MM HEIGHT ، 1 MM PITCH ، BGA-256 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل IDT70V657S10BC |
| 70V657S10BCG8 الذاكرة |
ذاكرة SRAM مزدوجة الموانئ ، 32KX36 ، 10ns ، CMOS ، PBGA256 ، 17 X 17 MM ، 1.40 MM HEIGHT ، 1 MM PITCH ، BGA-256 | تقنية الأجهزة المتكاملة | 70V657S10DRG مقابل 70V657S10BCG8 |
الوصف
SRAM - منفذ مزدوج ، ذاكرة IC غير متزامنة 1.125Mb (32K x 36) متوازية 10ns 208-PQFP (28x28)
ذاكرة الوصول الالكتروني 32K X 36 ASYNC DP RAM
المنتجات الموصى بها
