71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA رينيساس إلكترونيكس أمريكا

اسم العلامة التجارية Renesas Electronics America Inc
رقم الموديل 71V416S12BEI
الحد الأدنى لكمية 1
الأسعار Based on current price
تفاصيل التغليف كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى
وقت التسليم 3-5 أيام عمل
شروط الدفع T/T
القدرة على العرض في المخزون

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
نوع الذاكرة متقلب تنسيق الذاكرة SRAM
التكنولوجيا SRAM - غير متزامن حجم الذاكرة 4 ميجابت
منظمة الذاكرة 256 ك × 16 واجهة الذاكرة موازي
تردد الساعة - اكتب Cycle Time - Word ، Page 12ns
وقت الوصول 12 نانوثانية الجهد - الإمدادات 3 فولت ~ 3.6 فولت
درجة حرارة العمل -40°C ~ 85°C (TA) نوع التثبيت جبل السطح
الحزمة / الحقيبة 48-TFBGA حزمة أجهزة المورد 48-كابجا (9x9)
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
Part Number Description
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S10BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416S15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L12BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416L10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416S10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL10BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VL15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS10BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS12BEI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
IDT71V416VS15BEGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
71V416L10BE8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
اترك رسالة
Part Number Description
منتوج وصف

تفاصيل المنتج

الوصف

IDT71V416 هو 4،194،304 بت عالية السرعة الذاكرة الثابتة المنظمة ك256K x 16 وهي مصنوعة باستخدام عالية الأداء، عالية الموثوقية تكنولوجيا CMOS.جنبا إلى جنب مع تقنيات تصميم دوائر مبتكرة، يوفر حل فعال من حيث التكلفة لاحتياجات الذاكرة عالية السرعة.
يحتوي جهاز IDT71V416 على دبوس تمكين الخروج يعمل بسرعة تصل إلى 5ns ، مع أوقات الوصول إلى العناوين بسرعة تصل إلى 10ns.جميع المدخلات الثنائية الاتجاه والمخرجات من IDT71V416 هي متوافقة مع LVTTL والتشغيل هو من واحد 3إمدادات 3 فولت. تستخدم دوائر غير متزامنة ثابتة بالكامل ، لا تتطلب ساعات أو تحديث للعمل.

الخصائص

◆ 256K x 16 متقدمة عالية السرعة CMOS الذاكرة الذاكرة الثابتة
◆ JEDEC مركز الطاقة / GND pinout للحد من الضوضاء.
◆ الوصول المتساو و أوقات الدورة
التجارية والصناعية: 10/12/15ns
◆ شريحة واحدة تحديد بالإضافة إلى دبوس واحد الخروج تمكين
◆ مدخلات بيانات ثنائية الاتجاه ومخرجات متوافقة مباشرة مع LVTTL
◆ انخفاض استهلاك الطاقة عن طريق إلغاء تحديد الشريحة
◆ البايتات العليا والسفلية
◆ مصدر طاقة واحد 3.3 فولت
◆ متوفر في حزمة SOJ البلاستيكية ذات 44 دبوس، 400 مل، وحزمة TSOP من النوع II ذات 44 دبوس، 400 مل، وحزمة شبكة 48 كرة، حزمة 9 ملم × 9 ملم.

المواصفات

الصفة قيمة الصفة
المصنع أنظمة الدوائر المتكاملة
فئة المنتجات وحدة التحكم بالذاكرة
السلسلة 71V416
النوع غير متزامن
التعبئة العبوة البديلة للصينية
أسلوب التثبيت SMD/SMT
الحزمة 48-TFBGA
درجة حرارة العمل -40°C ~ 85°C (TA)
واجهة متوازية
إمدادات الجهد 3 فولت ~ 3.6 فولت
حزمة الجهاز 48-CABGA (9x9)
قدرة الذاكرة 4M (256K x 16)
نوع الذاكرة SRAM - غير متزامن
السرعة 12s
وقت الوصول 12 ثانية
شكل الذاكرة ذاكرة الوصول
درجة حرارة العمل القصوى + 85 C
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 درجة مئوية
نوع الواجهة متوازية
التنظيم 256 كيلوجرام × 16
الحد الأقصى لتواريد الإمداد 180 mA
الجزء # - الأسماء المستعارة 71V416 IDT71V416S12BEI
فولتاج الإمداد - أقصى 3.6 فولت
فولتاج التغذية - دقيقة 3 فولت
الحزمة CABGA-48
مكونات متوافقة وظيفياًشكل، حزمة، مكون متوافق وظيفيا
جزء المصنع# الوصف المصنع مقارنة
IDT71V416S12BEI8
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416S12BEI8
IDT71V416YS12BEG3
الذاكرة
SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، ROHS متوافقة، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416YS12BEG3
IDT71V416S12BEI
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416S12BEI
IDT71V416VS12BEGI
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416VS12BEGI
IDT71V416YS12BEGI
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416YS12BEGI
IDT71V416YFS12BEI
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية ، 256KX16 ، 12ns ، CMOS ، PBGA48 ، 9 X 9 MM ، POWER ، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416YFS12BEI
71V416VS12BEGI
الذاكرة
SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، ROHS متوافقة، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل 71V416VS12BEGI
71V416S12BEI8
الذاكرة
CABGA-48، ريل تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل 71V416S12BEI8
IDT71V416S12BEGI
الذاكرة
ذاكرة SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل IDT71V416S12BEGI
71V416S12BEGI
الذاكرة
SRAM القياسية، 256KX16، 12ns، CMOS، PBGA48، 9 X 9 MM، ROHS متوافقة، BGA-48 تقنية الأجهزة المتكاملة 71V416S12BEI مقابل 71V416S12BEGI

الوصف

SRAM - ذاكرة IC غير متزامنة 4Mb (256K x 16) متوازية 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM