جميع المنتجات
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA تقنية مايكرون
| اسم العلامة التجارية | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| رقم الموديل | MT40A1G8SA-062E IT: E. |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | ذاكرة SDRAM - DDR4 | حجم الذاكرة | 8 جيجابت |
| منظمة الذاكرة | 1 جرام × 8 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 1.6 جيجاهرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | - | الجهد - الإمدادات | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40 درجة مئوية ~ 95 درجة مئوية (ح) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 78-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 78-FBGA (7.5 × 11) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A4G4SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:H | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075 C:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E PS:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062EPS:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E PS:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الوصف
هذه مكابح الجهد العابر 1500 واط توفر قدرات معالجة الطاقة التي توجد فقط في حزم أكبر.يتم استخدامها في معظم الأحيان للحماية من العابرات من بيئات التبديل التحفيزي أو تأثيرات البرق الثانوية المحفزة كما هو موجود في مستويات الزيادة المنخفضة من IEC61000-4-5مع أوقات استجابة سريعة جدا، فهي فعالة أيضا في الحماية من ESD أو EFT.تتضمن ميزات حزمة Powermite® قاعًا معدنيًا كاملًا يزيل إمكانية احتجاز تدفق اللحام أثناء التجميعكما أنها توفر علامة قفل فريدة تعمل كغسالة حرارة متكاملةيتم تقليل الحثية الطفيلية لتقليل تجاوزات الجهد خلال انتقالات وقت الارتفاع السريع.
الخصائص
• حزمة التثبيت السطحي المنخفضة جداً (1.1ملم)• علامات التبويب المتكاملة لفناء الحرارة
• متوافق مع معدات الإدراج التلقائي
• القاع المعدني بالكامل يزيل حبس التدفق
• نطاق الجهد من 5 فولت إلى 170 فولت
• متوفرة في كل من الاتجاه الواحد أو الاتجاهين (اللاحقة C للاتجاهين)
الدرجات القصوى
• درجة حرارة التشغيل: -55°C إلى +150°C• درجة حرارة التخزين: -55°C إلى +150°C
• طاقة النبض القصوى 1500 واط (10 / 1000 ميكرو ثانية)
• تيار الزخم الأمامي: 200 آمبر عند 8.3 ميس (باستثناء ثنائي الاتجاه)
• معدل زيادة التكرار (عامل الضرائب): 0.01%
• المقاومة الحرارية: 2.5 درجة مئوية / واط التقاطع إلى علامة التبويب 130 درجة مئوية / واط التقاطع إلى البيئة مع البصمة الموصى بها
• درجة حرارة الرصاص والتركيب: 260 درجة مئوية لمدة 10 ثواني
الطلبات / الفوائد
• الحماية الثانوية من البرق• الحماية العابرة للتبديل
• بصمة صغيرة
• الحثية الطفيلية المنخفضة جداً للحد الأدنى من تجاوز التوتر
• متوافق مع IEC61000-4-2 و IEC61000-4-4 للحماية من ESD و EFT على التوالي و IEC61000-4-5 لمستويات الزيادة العالية المحددة هنا
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| فئة المنتجات | رقائق IC |
| مفر | شركة (مايكرون) للتكنولوجيا |
| السلسلة | - |
| الحزمة | الصندوق |
| حالة المنتج | نشط |
| نوع الذاكرة | متطايرة |
| تنسيق الذاكرة | الـ DRAM |
| التكنولوجيا | SDRAM - DDR4 |
| حجم الذاكرة | 8 جيجابايت (1 جيجابايت × 8) |
| واجهة الذاكرة | متوازية |
| تردد الساعة | 1.6 غيغاهرتز |
| كتابة دورة وقت كلمة صفحة | - |
| إمدادات الجهد | 1.14 فولت ~ 1.26 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 95°C (TC) |
| نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة | 78-TFBGA |
| حزمة الجهاز | 78-FBGA (7.5x11) |
| رقم المنتج الأساسي | MT40A1 |
المنتجات الموصى بها
