جميع المنتجات
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| اسم العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IS43LD16640A-25BL |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM - LPDDR2 المحمول | حجم الذاكرة | 1 جيجابت |
| منظمة الذاكرة | 64 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 400 ميغاهرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 15ns |
| وقت الوصول | - | الجهد - الإمدادات | 1.14 فولت ~ 1.95 فولت |
| درجة حرارة العمل | 0 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 134-تفبجا | حزمة أجهزة المورد | 134-تفبجا (10x11.5) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43LD16640C-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16160B-25BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16320A-25BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD32160A-25BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16320A-25BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD32160A-25BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-18BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640C-18BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-18BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640C-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128C-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320C-18BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640C-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128C-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-25BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16640A-3BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-25BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32320A-3BL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD16640A-25BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD16640A-25BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-25BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-3BLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32320A-3BLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD16128B-25BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-18BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS43LD32640B-25BLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA | |
| IS46LD32640B-18BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-18BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA1 | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA1-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640B-25BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA1 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA2-TR | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA2 | IC DRAM | |
| IS46LD32640C-18BLA1-TR | IC DRAM |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
الخصائص
● الجهد القياسي: VDD و VDDQ = 1.5V ± 0.075V● الجهد المنخفض (L): VDD و VDDQ = 1.35V + 0.1V ، -0.067V
- متوافق مع 1.5 فولت
● سرعات نقل البيانات عالية مع نظام
تردد يصل إلى 933 ميغاهرتز
● 8 بنوك داخلية للعمل بالتزامن
● بنية 8n-بيت قبل البحث
● تأخير CAS القابل للبرمجة
● تأخير إضافي قابل للبرمجة: 0، CL-1، CL-2
● فترة تأخير CAS WRITE القابلة للبرمجة (CWL) بناءً على tCK
● الطول القابل للبرمجة: 4 و 8
● تسلسل انفجار قابل للبرمجة: تسلسلي أو متداخل
● التبديل في الطيران
● التجديد الذاتي الآلي ((ASR))
● درجة حرارة التجديد الذاتي (SRT)
● فترة التجديد:
7.8 us (8192 دورة/ 64 ms) Tc= -40°C إلى 85°C
3.9 us (8192 دورة / 32 ms) Tc= 85 °C إلى 105 °C
● المجموعة الجزئية
● دبوس إعادة التشغيل غير المتزامن
● تدعم TDQS (Termination Data Strobe) (x8 فقط)
● OCD (تعديل عائق السائق خارج الشريحة)
● ODT الديناميكية (إنهاء على الموت)
● قوة السائق: RZQ/7 ، RZQ/6 (RZQ = 240 )
● كتابة التسوية
● ما يصل إلى 200 ميغاهرتز في وضع إيقاف DLL
● درجة حرارة العمل:
التجارية (TC = 0 °C إلى + 95 °C)
الصناعية (TC = -40 °C إلى +95 °C)
السيارات، A1 (TC = -40°C إلى +95°C)
السيارات، A2 (TC = -40°C إلى +105°C)
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ISSI |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| النوع | DDR1 |
| التعبئة | العبوة البديلة للصينية |
| أسلوب التثبيت | SMD/SMT |
| الحزمة | 134-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | 0°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.14 فولت ~ 1.95 فولت |
| حزمة الجهاز | 134-TFBGA (10x11.5) |
| قدرة الذاكرة | 1G (64M x 16) |
| نوع الذاكرة | ذاكرة LPDDR2 SDRAM المحمولة |
| السرعة | 400 ميغاهرتز |
| وقت الوصول | 2.5 ns |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
| درجة حرارة العمل القصوى | + 85 C |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0 سي |
| التنظيم | 64 م × 16 |
| الحد الأقصى لتواريد الإمداد | 40 mA |
| عرض حافلة البيانات | 16 بت |
| فولتاج الإمداد - أقصى | 1.95 فولت |
| فولتاج التغذية - دقيقة | 1.7 فولت |
| الحزمة | BGA-134 |
| الحد الأقصى للتردد | 400 ميغاهرتز |
الوصف
SDRAM - ذاكرة LPDDR2 المحمولة IC 1Gb (64M x 16) متوازية 400MHz 134-TFBGA (10x11.5)
DRAM 1G 1.2/1.8V 64Mx16 400MHz 134ball BGA
المنتجات الموصى بها
