جميع المنتجات
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA ويندبوند إلكترونيات
| اسم العلامة التجارية | Winbond Electronics |
|---|---|
| رقم الموديل | W949D6DBHX5I |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM - LPDDR المحمول | حجم الذاكرة | 512 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 32 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 200 ميغاهرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | 15ns |
| وقت الوصول | 5 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 60-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 60-VFBGA (8 × 9) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W949D6DBHX5I | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D6KBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-75:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AAT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5J | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
وصف عام
W9425G6DH هي ذاكرة وصول عشوائي ديناميكي متزامن بمعدل بيانات مزدوج CMOS (DDR SDRAM) ، منظمة على شكل 4 ،194،304 كلمة × 4 بنوك × 16 بت. باستخدام الهندسة المعمارية للأنابيب وتكنولوجيا العملية 0.11 ميكرومتر ، يوفر W9425G6DH عرض النطاق الترددي للبيانات يصل إلى 500M كلمة في الثانية (-4).للامتثال الكامل لمعايير الكمبيوتر الشخصي الصناعية، يتم فرز W9425G6DH إلى أربع درجات سرعة: -4، -5، -6 و -75. -4 متوافق مع مواصفات DDR500 / CL3. -5 متوافق مع مواصفات DDR400 / CL3.-6 متوافق مع DDR333/CL2.5 المواصفات (الدرجة -6I التي يضمن أن تدعم -40 °C ~ 85 °C). -75 متوافق مع مواصفات DDR266 / CL2 (الدرجة 75I التي يضمن أن تدعم -40 °C ~ 85 °C).
الخصائص
• إمدادات الطاقة 2.5 فولت ± 0.2 فولت لـ DDR266 / DDR333• 2.6V ± 0.1V إمدادات الطاقة ل DDR400/DDR500
• ما يصل إلى 250 ميغاهرتز تردد الساعة
• بنية معدل البيانات المزدوج؛ نقل بيانات مرتين لكل دورة ساعة
• مدخلات الساعة التفاضلية (CLK و CLK)
• DQS محاذاة على الحافة مع البيانات للقراءة ؛ محاذاة في الوسط مع البيانات للكتابة
• تأخير CAS: 2، 2.5 و 3
• طول الانفجار: 2، 4 و 8
• التجديد التلقائي والتجديد الذاتي
• إيقاف تشغيل الكهرباء الممتازة وإيقاف تشغيل الكهرباء النشطة
• كتابة قناع البيانات
• اكتب الكمون = 1
• 7. 8μS فترة تحديث (8K / 64 mS تحديث)
• الحد الأقصى لدورة التحديث: 8
• واجهة: SSTL_2
• معبأة في TSOP II 66-pin، 400 مل، 0.65 ملم مسافة الدبوس، باستخدام Pb خالية مع RoHS متوافقة
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ويندبوند إلكترونيات |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | العبوة البديلة للصينية |
| الحزمة | 60-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 1.7 فولت ~ 1.95 فولت |
| حزمة الجهاز | 60-VFBGA (8x9) |
| قدرة الذاكرة | 512M (32M x 16) |
| نوع الذاكرة | الـ LPDDR SDRAM المتنقل |
| السرعة | 200 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
SDRAM - ذاكرة LPDDR المحمولة IC 512Mb (32M x 16) متوازية 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA
المنتجات الموصى بها
