جميع المنتجات
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| اسم العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IS42S16320F-7BLI |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM | حجم الذاكرة | 512 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 32 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 143 ميجا هرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | 5.4 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 54-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 54-TW-BGA (8x13) |
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS42S16320F-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320F-7BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320D-7BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160B-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6B | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7B | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160B-7BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16800D-6B | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-6B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-7B | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-7B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBL | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBLI | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16160B-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16800D-75EBL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16800D-75EBLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA | |
| IS42S16160B-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA | |
| IS42S16160D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7B | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-7B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16160D-75EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16320B-7BL | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BLI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42S16320B-7BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS42VM16320D-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-75BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42VM16320D-75BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-6BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-6BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16160D-7BLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45S16320B-7BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA | |
| IS45S16320B-7BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
لمحة عامة عن الجهاز
تتمكن ذاكرة DRAM المتزامن ISSIS 512Mb من تحقيق نقل بيانات عالي السرعة باستخدام بنية الأنابيب. تشير جميع إشارات المدخلات والمخرجات إلى الحافة الصاعدة لدخول الساعة.
الخصائص
• تردد الساعة: 200، 166، 143 ميغاهرتز• متزامنة بالكامل ؛ جميع الإشارات مرجعية إلى حافة ساعة إيجابية
• بنك داخلي للوصول إلى صف الاختباء / الشحن المسبق
• إمدادات الطاقة: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• واجهة LVTTL
• طول انفجار قابل للبرمجة (١، ٢، ٤، ٨، صفحة كاملة)
• تسلسل انفجار قابل للبرمجة: تسلسلي/متداخل
• تحديث تلقائي (CBR)
• اطمئن على نفسك
• دورات تحديث 8K كل 64 ميس
• عنوان عمود عشوائي في كل دورة ساعة
• فترة تأخير CAS قابلة للبرمجة (2، 3 ساعات)
• إمكانية قراءة / كتابة متقطعة و قراءة / كتابة متقطعة
• إيقاف الانفجار عن طريق إيقاف الانفجار و إيقاف الشحن
• حزم: x8 / x16: 54 دبوس TSOP-II، 54 كرة TF-BGA (x16 فقط) x32: 90 كرة TF-BGA
• نطاق درجات الحرارة: التجارية (0 درجة مئوية إلى +70 درجة مئوية) الصناعية (-40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية) السيارات، A1 (-40 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية) السيارات، A2 (-40 درجة مئوية إلى +105 درجة مئوية)
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ISSI |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | العبوة البديلة للصينية |
| الحزمة | 54-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| حزمة الجهاز | 54-TWBGA (13x8) |
| قدرة الذاكرة | 512M (32M x 16) |
| نوع الذاكرة | SDRAM |
| السرعة | 143 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
ذاكرة SDRAM IC 512Mb (32M x 16) موازية 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
شريحة DRAM SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA
DRAM 512M ، 3.3V ، SDRAM ، 32Mx16 ، 143MHz ، 54 كرة BGA (8mmx13mm) ، RoHS ، IT
المنتجات الموصى بها
