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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| اسم العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| رقم الموديل | IS42S16160J-7BLI |
| الحد الأدنى لكمية | 1 |
| الأسعار | Based on current price |
| تفاصيل التغليف | كيس مضاد للستاتيكية وصندوق من الورق المقوى |
| وقت التسليم | 3-5 أيام عمل |
| شروط الدفع | T/T |
| القدرة على العرض | في المخزون |
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xتفاصيل المنتج
| نوع الذاكرة | متقلب | تنسيق الذاكرة | درهم |
|---|---|---|---|
| التكنولوجيا | SDRAM | حجم الذاكرة | 256 ميجابت |
| منظمة الذاكرة | 16 م × 16 | واجهة الذاكرة | موازي |
| تردد الساعة | 143 ميجا هرتز | اكتب Cycle Time - Word ، Page | - |
| وقت الوصول | 5.4 نانوثانية | الجهد - الإمدادات | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) | نوع التثبيت | جبل السطح |
| الحزمة / الحقيبة | 54-TFBGA | حزمة أجهزة المورد | 54-TFBGA (8 × 8) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS42S16160J-7BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
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| IS42S16160J-7BL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA | |
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| IS45VM16800E-75BLA1 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA1-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA2 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS45VM16800E-75BLA2-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6BI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7BI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6B | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-6BI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7B | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA | |
| IS42S16800F-7BI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA |
منتوج وصف
تفاصيل المنتج
وصف ISSI ′s 16Mb DRAM متزامن IS42S16100 يتم تنظيمه كـ 524,288 كلمة x 16 بت x 2 بنك لتحسين الأداء.تتمكن DRAMs المزامنة من نقل البيانات بسرعة عالية باستخدام بنية الأنابيبجميع إشارات المدخلات والمخرجات تشير إلى الحافة الصاعدة لدخول الساعة.
الخصائص
• تردد الساعة: 166, 143, 100 ميغاهرتز• متزامنة بالكامل ؛ جميع الإشارات مرجعية إلى حافة ساعة إيجابية
• يمكن تشغيل بنكين في وقت واحد وبشكل مستقل
• البنك الداخلي المزدوج الذي يسيطر عليه A11 (البنك المحدد)
• مصدر طاقة واحد 3.3 فولت
• واجهة LVTTL
• طول انفجار قابل للبرمجة (١، ٢، ٤، ٨، صفحة كاملة)
• تسلسل انفجار قابل للبرمجة: تسلسلي/متداخل
• تحديث تلقائي، تحديث ذاتي
• 4096 دورة تحديث كل 128 ميس
• عنوان عمود عشوائي في كل دورة ساعة
• فترة تأخير CAS قابلة للبرمجة (2، 3 ساعات)
• إمكانية قراءة / كتابة متقطعة و قراءة / كتابة متقطعة
• إيقاف الانفجار عن طريق إيقاف الانفجار و إيقاف الشحن
• بايت يتم التحكم به بواسطة LDQM و UDQM
• حزمة 400 مل 50 دبوس TSOP II
المواصفات
| الصفة | قيمة الصفة |
|---|---|
| المصنع | ISSI |
| فئة المنتجات | وحدة التحكم بالذاكرة |
| السلسلة | - |
| التعبئة | العبوة البديلة للصينية |
| الحزمة | 54-TFBGA |
| درجة حرارة العمل | -40°C ~ 85°C (TA) |
| واجهة | متوازية |
| إمدادات الجهد | 3 فولت ~ 3.6 فولت |
| حزمة الجهاز | 54-TFBGA (8x8) |
| قدرة الذاكرة | 256M (16M x 16) |
| نوع الذاكرة | SDRAM |
| السرعة | 143 ميغاهرتز |
| شكل الذاكرة | ذاكرة الوصول |
الوصف
ذاكرة SDRAM IC 256Mb (16M x 16) متوازية 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
شريحة DRAM SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM 256M، 3.3V، SDRAM، 16Mx16، 143Mhz، 54 كرة BGA (8mmx8mm) RoHS، IT
المنتجات الموصى بها
