جميع المنتجات
S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA تكنولوجيات إنفينيون
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA سايبرس سيمكوندكتور كورب
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة |
24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة |
SST39VF010-70-4I-NHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC تكنولوجيا الرقاقة الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP على نصف
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC ويندبوند إلكترونيات
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP رينيساس إلكترونيكس أمريكا
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - منفذ مزدوج، غير متزامن |
24LC01BT-I/SN IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA تقنيات Infineon
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، QDR II |