جميع المنتجات
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA شركة مايكرون تكنولوجيا
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ناند |
SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC تكنولوجيا الرقاقة الدقيقة
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش |
M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMيكروإلكترونيات
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA سايبرس سيمكوندكتور كورب
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| التكنولوجيا: | SRAM - متزامن، حقوق السحب الخاصة |
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA ويندبوند إلكترونيات
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - LPDDR المحمول |
NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC على نصف
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | إيبروم |
| التكنولوجيا: | إيبروم |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA شركة مايكرون للتكنولوجيا
| نوع الذاكرة: | غير متقلبة، متقلبة |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش ، ذاكرة الوصول العشوائي |
| التكنولوجيا: | فلاش - NAND، LPDRAM المحمول |
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI ، حلول السيليكون المتكاملة Inc
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA تقنية مايكرون
| نوع الذاكرة: | متقلب |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | درهم |
| التكنولوجيا: | درهم |
MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP ماكرونيكس
| نوع الذاكرة: | غير متطاير |
|---|---|
| تنسيق الذاكرة: | فلاش |
| التكنولوجيا: | فلاش - ولا |